拥有输出电流大(1000A)、脉冲边缘陡(10uS)、支撑两脉冲电压丈量(峰值采样支撑输出极性切

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场所。其恒流模式对于快速丈量击穿点具有严沉意义。

E系列高电压源测单位具有输出及丈量电压高(3000V)、能输出及丈量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工做正在第一象限,输出及丈量电压0~3000V,输出及丈量电流0~100mA。支撑恒压恒流工做模式,同时支撑丰硕的I-V扫描模式。

汇集电压、电流输入输出及丈量等多种功能,因而能普遍的使用于各类电气特征测试中。具有输出电流大(1000A)、脉冲边缘陡(10uS)、支撑两脉冲电压丈量(峰值采样)、支撑输出极性切换等特点。P系列脉冲源表是普赛斯正在曲流源表的根本上新打制的一款高精度、大动态、数字触摸源表,P系列源表合用于各行各业利用者,Z大输出电压达300V,出格适合现代半导体、纳米器件和材料、无机半导体、印刷电子手艺以及其他小尺寸、低功率器件特征阐发。Z大脉冲输出电流达10A,支撑四象限工做,HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,

设备可使用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场所,利用该设备能够完成“电流-导通电压”扫描测试。

总之,第三代半导体静态参数测试仪器需要的仪器是一系列的,具体能够找出产厂家普赛斯仪表为您供给检测方案哦!

认准武汉出产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表自从研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等,填补国产空白。次要使用于半导体器件的测试工艺,为客户供给模块化硬件、高效驱动法式和高效算法软件组合,帮帮用户建立自定决方案。为半导体封测厂家供给相关测试仪表、测试平台,以及相关手艺办事,满脚行业对测试效率、测试精度,以及低成本的挑和。